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【首创】ALLOS首席履行官:GaN-on-Si为Micro LED生态体系铺路
文章来源自:高工LED
2018-05-30 22:16:01 浏览:88026
择要德国知识产权许可公司ALLOS Semiconductors将本身定位成“合用于LED、电源和射频利用的硅基氮化镓(GaN-on-Si)晶圆技术的抢先供应商”,并传播鼓吹具有市场上最好的晶体质量、均匀性和低晶圆翘曲度。

  德国知识产权许可公司ALLOS Semiconductors将本身定位成“合用于LED、电源和射频利用的硅基氮化镓(GaN-on-Si)晶圆技术的抢先供应商”,并传播鼓吹具有市场上最好的晶体质量、均匀性和低晶圆翘曲度。

  ALLOS公司首席履行官Burkhard Slischka议论了该公司的专有技术和他对将来Micro LED的瞻望。

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  问:为甚么是硅基氮化镓?几近所有传统LED的生产都是采取蓝宝石衬底,为甚么Micro LEDs不一样?

  答:为了可以或许成功生产Micro LED,根赋性的改变是需求的,比方,采取新装备设想和新奇的制造技术。别的,最首要的是,生产良率必须远高于以后LED行业。 对所有这些转变,硅基氮化镓是关头的鞭策身分,并且可以节流本钱。

  问:在您看来,硅基氮化镓在生产良率和本钱方面都有着更好的表示?

  答:对,就是如许。 为了了解这一点,我们需求从内涵片生长到Micro LED芯片被成功利用于显现器的全过程来对待全部价值链。

  问:在这个价值链上,您以为利用硅基氮化镓衬底最年夜的影响在那里?

  答:全部链条上有三个身分,即较年夜晶圆直径的本钱上风、硅薄膜加工的上风和晶圆均匀性对良率的巨年夜影响。

  问:2017年末,Veeco和ALLOS结合公布消息传播鼓吹,ALLOS技术已可在200毫米硅基氮化镓晶圆上实现最好均匀性。与蓝宝石基板氮化镓比拟若何?

  答:我们揭示的晶圆波长均匀性小于1纳米,厚度均匀性等乃至更好。200毫米硅基氮化镓晶圆与150毫米蓝宝石基板氮化镓晶圆在这些方面的表示相当。 别的,我们的技术具有非常好的晶圆可复制性。

  下一个目标是在±1纳米bin的范围实现99%晶圆面积

  问:您以为将来另有晋升空间吗?

  答:是的,我们当然可以。 仅仅四周的时候,我们就经由过程Veeco的Propel反应腔获得了这些服从。 所以另有很年夜的改进空间。 下一个目标是在±1纳米bin的范围实现99%晶圆面积。

  问:与其他人在150毫米蓝宝石基板氮化镓上获得的均匀性比拟,你是不是定为ALLOS可以在200毫米的硅基氮化镓上获得不异乃至更好的均匀性?

  答:是的,均匀性分歧,但晶圆面积几近是其两倍。

  问:优良的均匀性对Micro LED的首要性仿佛比对传统LED要高很多,为甚么?

  答:均匀性是良率的关头鞭策身分。每个显现器都需求数百万个具有完整不异波长的Micro LED芯片。 在组装之前对LED芯片进行的分类或后续进行的任何像素修复都会增加显现器的本钱。是以,这需求在一开端就采取非常均匀的内涵质料来处理,不然Micro LED显现屏将不具有本钱合作力。

  问:在这类环境下,您以为最好晶圆均匀性和每单位面积晶圆的最低内涵本钱哪个更首要?

  答:这个问题非常好。单看这两项中的一项实际上是不迷信的。因为具有更好均匀性的晶圆可以或许进步所有后续制造步调的良率。是以,即便内涵本钱更高,也能够经由过程更好的成品率来弥补本钱上的差异。

  “利用200 mm CMOS节流45%”

  问:这导致了我们之前提到的第二个身分,即更年夜晶圆直径的本钱上风。据我所知,转向更年夜的晶圆直径会降落每个芯片的本钱。但是对200 mm 蓝宝石基氮化镓来讲,会是一样吗?

  答:是的,准绳上应当如许以为。除此以外,蓝宝石存在三个问题:

  1、200 mm蓝宝石衬底的高本钱;

  2、可能无法实现所需的晶圆均匀性;

  3、因为翘曲度年夜,可否获得充足的成品率。

  但更首要的是硅基氮化镓的另外一个上风:可利用现有的200 mm互补金属氧化物半导体(CMOS)的措置才气,估计每个地区的本钱节流45%。

  与此同时,它供应了Micro LED所需的高制程良率,传统LED只需在年夜范围本钱支出和技术进级后才气婚配。

  问:你提到的45%只是来自芯片加工吗?

  答:对的,更高的收益来自于衬底去除和粘合,和巨量转移时更好的“面积经济”。

  问:另有一个技术论点是我想体味的。您方才说在蓝宝石上很难实现均匀性,那如安在200 mm的硅片上实现均匀性?

  答:我们的硅基氮化镓技术装备了奇特的应变工程技术。这使得我们可以或许同时实现两件事:在生长过程中,我们可以获得非常好的温度均匀性;冷却后构成平的且无裂纹的晶圆。凡是这二者要折中,但我们可以同时供应二者。趁便说一下,我们非常有决定信念将这个比例调剂到300 mm。

  “平的且无裂缝的300 mm是可能的”

  问:300 mm硅基氮化镓?

  答:是的,300 mm是可能的。不巧的是,目前还没有300 mm的产业级MOCVD装备。但我们悲观地以为会产生改变。我们很快便可以揭示第一款平的且无裂缝的300 mm硅基氮化镓(GaN-on-Si)磊晶片。

  问:很风趣!我大白了您方才介绍的硅基氮化镓(GaN-on-Si)对Micro LED的本钱上风。但是,与蓝宝石基氮化镓(GaN-on-sapphire)的机能差别呢?据我们体味,业界对硅基氮化镓(GaN-on-Si)的亮度和光效力存在担忧。

  答:究竟上,利用硅基氮化镓(GaN-on-Si)来实现充足好的晶体质量非常坚苦,这会侵害您提到的LED的机能。我们降服了这一缺点,在业界利用硅基氮化镓实现了最好的晶体质量。实际上,我们的顶层缺点密度仅为2 x 108 cm-? TDD,与蓝宝石基的值相当。

  问:对LED的机能,意味着甚么?

  答:这意味着一旦我们受权并将其技术让渡给客户,他们现有的在蓝宝石上生长的发光层与我们的硅衬底上氮化镓缓冲层会被连络到一个配方中。这会产生出我们谈到的具有所有优良机能的GaN-on-Si磊晶片,和具有我们客户现在在蓝宝石上生长的不异的发光布局和机能。

  “与蓝宝石基机能不异”

  问:我们继续会商贸易方面。Micro LED对供应链的影响若何?

  答:應用裝置年夜廠的目标利用将决定开辟和业务决定计划。智妙手机、电视机还是其他范例的装备制造商,要么遵循苹果的形式,在本身外部建立Micro LED的才气;要么鼓励计谋合作火伴为价值链上的零件供应处理计划。

  但不管是哪一种环境,他们都需求调和价值链的技术、收益和本钱,并在必然程度上为研发供应资金。 只等某个供应商为Micro LED供应端到端的处理计划对我而言其实不是一个可行的战略。

  问:这会若何影响ALLOS将来的经营计谋?

  答:ALLOS在三个市场(LED,电源和射频)都具有强年夜的硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术。我们看到这三个市场需求不合的技术和业务架构,我们还需求在这三个市场中利用不合的计谋和计谋合作关系。

  问:将来两年,公司在Micro LED有甚么目标?

  答:在Micro LED方面,我们正在与年夜公司和新创公司进行合作,进一步开辟该技术。基于我们明天已获得的超卓表示和我们强年夜的知识产权组合,我们看到我们处于一个无益的地位。现在,在价值链上具有其他适合的合作火伴,和所需的资金用于开辟Micro LED并进入量产,一样首要。

  问:假定我是您方才提到的一家應用裝置年夜廠,并且会带领和援助此类开辟,我会请求获得此研发技术的专有权......

  答:是的,我们目前听到了很多如许的说法,精确的共同多是一个共赢的处理计划。

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