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Micro LED巨量转移技术再获新停顿
Micro| 芯片 文章来源自:高工LED网
2022-06-22 09:20:58 浏览:6505
择要Micro LED显现器具有很多长处和潜伏利用。

  比来几年来,微型组件年夜面积、可编程地组装到肆意基板上在先进电子范畴被遍及摸索和研究,但是微组装技术仍处于生长的初级阶段,仍有生产本钱高、精度低、可控性差等问题,导致很多实际利用无法贸易化。

  半导体所新型显现团队针对微器件巨量组装与集成方面的应战展开了系列立异性研究,开辟了一种经由过程光安慰调控光敏聚合物的大要描摹和界面粘附力,从而实现年夜面积、高保真且可编程的微器件巨量转移技术,相关研究服从颁发在自然合作期刊《npj Flexible Electronics》(工程技术一区top,影响因子12.7)。

  微器件巨量组装的一个典范利用实例是微型发光二极管(Micro LED)显现,Micro LED因为在功耗、亮度、呼应速率等方面具有传统液晶技术和OLED无法对比的上风,已遭到显现行业的遍及存眷。

  但是,固然Micro LED显现器具有很多长处和潜伏利用,但数以百万计的Micro LED芯片尺寸小至几微米,利用传统的机器抓手和真空喷嘴的抓取和安排技术来操控微器件变得愈来愈坚苦。是以,半导体财产界亟待开辟高速、低本钱、年夜面积的微组装技术。

  巨量转移技术1.png

  图1:光呼应转移技术基来源根底理(左)及实例结果(右)

  为了应对上述应战,克日半导体所新型显现团队提出了基于光安慰调控光敏聚合物的大要描摹和界面粘附力,从而实现微器件巨量转移技术计划(图1)。团队采取外部光照引诱聚合物生长,使光敏物质产生部分地区的凸起和凸起,产生的高度差可实现将待转移芯片和非转移芯片挑选性编程转移至目标基板。

  同时,光安慰导致聚合物使芯片从强附着状况疾速切换到弱附着状况,实现芯片从聚合物中疾速开释。这两种效应的相互感化使得超小型元件可年夜面积、可编程的组装到各种粘附性基板上。研究团队经由过程组装ITO、GaN、钙钛矿量子点和Au薄膜等不合质料和服从器件考证该技术计划的可行性,成果表白该技术能将不合质料和服从器件年夜面积、高保真且可编程的转移至目标基板。

  巨量转移技术2.png

  图2:Micro-LED转移和显现集成结果样例

  随后,研究团队利用该技术实现了高密度Micro LED的疾速、可编程转移,并制备了平面及柔性Micro LED显现原型器件(图2),进一步证了然该技术的通用性、和曲面转移和集成的潜力。

  与之前报导的体例比拟,这项技术满足了年夜面积(4英寸)、低本钱、可编程转移超薄和邃密的组件(特性尺寸到10μm,厚度到250 nm)的需求。该技术将在摸索下一代高机能电子产品,如高辩白率显现器、生物集成健康监测电子产品和曲面电子产品方面具有巨年夜的利用潜力。

  该研究事情获得了国度重点研发打算、省重点研发打算、中国博士后迷信基金、省迷信院实施立异驱动生长才气扶植专项资金等项目帮助。省迷信院半导体研究所郭婵博士为论文第一作者,学术带头人龚政博士为通信作者。

  (来源:广东省迷信院半导体研究所)


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